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介绍一种基于原子比为1:1的InSb靶制备原子比为1:1的InSb薄膜的方法,实验结果表明,该方法能较好地解决类似化合物溅射制膜过程中膜成分与靶偏离问题.
溅射法制备InSb薄膜工艺探索—In与Sb的原子比问题
【摘 要】
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介绍一种基于原子比为1:1的InSb靶制备原子比为1:1的InSb薄膜的方法,实验结果表明,该方法能较好地解决类似化合物溅射制膜过程中膜成分与靶偏离问题.
【机 构】
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东南大学微电子中心,沈阳工业大学信息学院
【出 处】
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仪表技术与传感器
【发表日期】
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2001年7期
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