【摘 要】
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无压浸渗SiC/A1新材料集高导热性、低热膨胀系数(并在一定范围内可调)、轻量化几大优势于一身,导热性可与W-Cu相当,热膨胀系数可与Si、GaAs等芯片,A12O3,AlN,BeO等瓷件相匹配
【机 构】
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中国电子科技集团公司第55研究所,北京航空材料研究院
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无压浸渗SiC/A1新材料集高导热性、低热膨胀系数(并在一定范围内可调)、轻量化几大优势于一身,导热性可与W-Cu相当,热膨胀系数可与Si、GaAs等芯片,A12O3,AlN,BeO等瓷件相匹配,比重则不到W-Cu的20%,且可加工性强,成本低,未来可望在封装领域大量替代W-Cu、Mo-Cu等材料.实验证明,此复合材料前处理用有机溶剂和中性化学除油,HNO3,HF混合酸液浸蚀后浸锌,然后化学镀镍,经适当热处理后镀镍、镀金,完全能满足后道封装工艺要求,器件性能经考核完全符合GJB33A-97和GJB128A
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