表面修饰In(OH)3后ZnO的电化学性能

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用化学沉淀法在ZnO颗粒表面修饰了In(OH)3层。粉末XRD和TEM测试的结果表明,In(OH)3颗粒的尺寸约为10-30nm。随着In(OH)3负载量的增加,ZnO的放电比容量、利用率和电荷转移电阻逐渐增大,而充放电电压逐渐降低。In(OH)3负载量为12.5%的ZnO与纯ZnO前150次循环的平均放电比容量分别为552mAh/g和286mAh/g;ZnO的平均利用率分别为84.2%和44.7%;电荷转移电阻分别为0.82Ω和0.24Ω;平均充放电电压降低24mV和40mV。
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