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介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计，内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模块电路。重点介绍了采用总剂量、中子效应的器件参数变化预估方法进行仿真验证。芯片采用0.6μmBiCMOS工艺制造，测试验证结果表明，产品在满足使用要求的同时，具备抗电离总剂量3×103Gy(Si)、抗中子注量0.6×1014n·cm-2的性能，适用于核辐射环境。辐射测试结果证明了设计的正确性。