【摘 要】
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通过X射线衍射、紫外–可见分光光度计、扫描电镜和四探针仪分析等手段,考察了退火温度对ZnO：（Al,La）薄膜微观结构、光学和电学性能的影响,Al掺杂浓度对电阻率的影响。结果表明：
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通过X射线衍射、紫外–可见分光光度计、扫描电镜和四探针仪分析等手段,考察了退火温度对ZnO：（Al,La）薄膜微观结构、光学和电学性能的影响,Al掺杂浓度对电阻率的影响。结果表明：随退火温度的升高,薄膜（002）晶面择优取向生长增强,平均晶粒尺寸增大,电阻率降低,透光率上升。在x（Al）为1%,退火温度550℃时,薄膜最低电阻率为1.78×10^–3Ω·cm,平均透光率超过85%。
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