硅基光电集成器件研究进展

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【摘要】

：

随着器件结构与制作工艺的不断创新与完善,硅基发光器件已经可以实现室温下的有效工作,外量子效率可达到0.1%;低功耗的硅基高速调制器件的调制速率达到1GHz以上;而硅基光探测

【作者】

：

孙飞余金中

【机构】

：

中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室

【出处】

：

物理

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

硅基响应度调制器外量子效率器件结构发光器件光电集成器件研究进展 GH 分析 optoelectronic integration light-e

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随着器件结构与制作工艺的不断创新与完善,硅基发光器件已经可以实现室温下的有效工作,外量子效率可达到0.1%;低功耗的硅基高速调制器件的调制速率达到1GHz以上;而硅基光探测器对1300nm与1550nm波长的探测响应度也已分别达到了0.16mA/W和0.08mA/W.文章对硅基光电器件的研究进展情况进行了概述,并着重对几种器件的结构及工作原理进行了分析.

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