Au纳米晶MIS结构存储性能研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：michellehb1

【摘要】

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从器件结构和能带的角度分析了提高非易失性存储器性能的可能途径，建立了纳米晶浮栅结构的存储模型，并在模型中考虑了量子限制效应对纳米晶存储性能的影响。基于模型计算，分析了

【作者】

：

刘宁代月花陈军宁柯导明胡媛

【机构】

：

安徽大学电子科学与技术学院

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2009年2期

【关键词】

：

非易失性半导体存储器纳米晶浮栅高k介质量子限制效应 nonvolatile memory nanocrystal floating-gate high

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从器件结构和能带的角度分析了提高非易失性存储器性能的可能途径，建立了纳米晶浮栅结构的存储模型，并在模型中考虑了量子限制效应对纳米晶存储性能的影响。基于模型计算，分析了纳米晶材料、高k隧穿介质材料及其厚度对纳米晶浮栅结构存储性能的影响。同时，制作了MIS结构（Si/ZrO2/Au Ncs/SiO2/Al）的存储单元，针对该存储单元的电荷存储能力和电荷保持特性进行测试，并对测试结果进行分析。

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