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报道了用区熔法生长掺Sb-Hg（1-x）CdxTe晶体的工作,求得其分凝系数为5×10-4。对这种掺杂晶片的电学测量及简单光伏器件制作的结果表明:Sb元素为受主杂质,利用掺Sb-Hg1-xCdxTe晶体作为光伏器件的p型基底材料是可行的。更多还原
区熔法生长掺Sb—Hg1—xCdxTe晶体
【摘 要】
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报道了用区熔法生长掺Sb-Hg（1-x）CdxTe晶体的工作,求得其分凝系数为5×10-4。对这种掺杂晶片的电学测量及简单光伏器件制作的结果表明:Sb元素为受主杂质,利用掺Sb-Hg1-xCdx
【机 构】
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同济大学物理系,中国科学院上海技术物理研究所
【出 处】
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红外技术
【发表日期】
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1990年5期
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