【摘 要】
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<正> 本世纪六十年代中期前半导体基片抛光还大都沿用机械抛光,例如氧化镁、氧化锆、纯氧化铬等方法,得到的镜面表面损伤是极其严重的.1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶胶（Silic
【机 构】
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天津化学试剂一厂,天津化学试剂一厂,天津化学试剂一厂
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<正> 本世纪六十年代中期前半导体基片抛光还大都沿用机械抛光,例如氧化镁、氧化锆、纯氧化铬等方法,得到的镜面表面损伤是极其严重的.1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶胶（Silica sol）和凝胶（Silica gel）抛光后,以二氧化硅为代表的化学机械抛光工艺就逐渐代替旧方法,目前国外最先进的硅片生产线均使用二氧化硅抛光方法.二硅化硅溶胶或凝胶抛光液的基本形式是由一个SiO2抛光剂和一个碱性组份水溶液组成.SiO2颗粒要求范围为10～150毫微米,碱性组成一般使用NaOH、氨或有机胺,pH值为9.5～11.0.SiO2浓度为1.5%～50%.
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