【摘 要】
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用背散射-沟道效应研究了Si中注Pb并进行红外瞬态退火的辐照损伤及杂质分布.注入能量为350KeV,剂量为1×10~(17)及5×10~(15)/cm~2.实验表明高杂质浓度区中的杂质沉淀和晶格
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所
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用背散射-沟道效应研究了Si中注Pb并进行红外瞬态退火的辐照损伤及杂质分布.注入能量为350KeV,剂量为1×10~(17)及5×10~(15)/cm~2.实验表明高杂质浓度区中的杂质沉淀和晶格应力能抑制晶体的外延生长.当外延生长停止后,表面形成多晶结构,杂质沿晶粒边界向表面扩散.
The damage and impurity distribution of Si implanted Pb and infrared transient annealing were investigated by backscattering - channeling technique. The implantation energy was 350 KeV, the dose was 1 × 10-17 and 5 × 10-15 / cm ~ 2.Experiments show that impurity deposition and lattice stress in the high impurity concentration region can inhibit the epitaxial growth of the crystal.When the epitaxial growth ceases, the polycrystalline structure is formed on the surface, and the impurities are diffused to the surface along the grain boundary.
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