【摘 要】
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该文从理论上介绍了CIGS太阳能电池的主要缺陷机制,说明了弱贫铜组分及由此产生的少量铜空位(VCu-)对于保持CIGS弱P型半导体性质的积极意义。指出了碱金属点缺陷,特别是Na点
【机 构】
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该文从理论上介绍了CIGS太阳能电池的主要缺陷机制,说明了弱贫铜组分及由此产生的少量铜空位(VCu-)对于保持CIGS弱P型半导体性质的积极意义。指出了碱金属点缺陷,特别是Na点缺陷(NaIn)提供的受主能级对于提高空穴浓度、改善CIGS电性的重要作用。论文还从晶格和能带匹配角度阐述了构成CIGS太阳能电池窗口层的缓冲层和高阻层材料设计思路,指出了In2S3和Zn1-xMgxO在高性能、环保CIGS电池上的应用方向。
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