【摘 要】
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近年来,研究各种杂质对碲镉汞单晶电物理性能的影响的兴趣日增。尤其在进行研究过程中已经表明,为了获得电导性,可适当地利用铟或镓这些Ⅲ族元素作为熔合杂质。这些杂质扩散
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近年来,研究各种杂质对碲镉汞单晶电物理性能的影响的兴趣日增。尤其在进行研究过程中已经表明,为了获得电导性,可适当地利用铟或镓这些Ⅲ族元素作为熔合杂质。这些杂质扩散相当快,能取代金属晶格中的汞或镉原子,起到施主中心的作用。本研究表明,在离子熔合和后继热处理相结合的一定条件下,铟也是呈现出受主特性。
In recent years, interest in studying the effects of various impurities on the physical properties of monocrystalline HgCdTe has grown. In particular, it has been shown in the course of studies that, in order to obtain electrical conductivity, Group III elements, such as indium or gallium, can suitably be used as fusion impurities. These impurities diffuse fairly quickly and can replace mercury or cadmium atoms in the metal lattice and act as donor centers. The present study shows that indium also exhibits acceptor properties under certain conditions of combination of ion fusion and subsequent heat treatment.
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