【摘 要】
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采用湿法腐蚀工艺,对PVT法生长的碳化硅单晶缺陷进行了研究。利用熔融态KOH和K2CO3作为腐蚀剂,通过分别改变腐蚀剂配比、腐蚀时间、腐蚀温度的方法,获得了良好的湿法腐蚀工艺
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采用湿法腐蚀工艺,对PVT法生长的碳化硅单晶缺陷进行了研究。利用熔融态KOH和K2CO3作为腐蚀剂,通过分别改变腐蚀剂配比、腐蚀时间、腐蚀温度的方法,获得了良好的湿法腐蚀工艺参数。用CCD光学显微镜和SEM观察腐蚀以后的晶体表面形貌。结果表明,最佳腐蚀工艺参数为K2CO3∶KOH=5g∶200g,440℃/30min。腐蚀以后(0001)Si表面可以清晰地观察到微管、基面位错、螺位错和刃位错。实验还发现晶片表面抛光质量会影响腐蚀后SiC表面的形貌。
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