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研究了La2Cu04+δ试样在加热过程中氧的逸出及其对试样电导率的影响。结果表明La2Cu04+δ试样的电导率与其所逸出的氧分子数密切相关。未经电化学充氧、即间隙氧含量较低的试样，在673K和1073K附近有两个氧逸出过程，前者为间隙氧的逸出，其导致CuO2平面空穴载流子浓度的降低而使试样的电导率显著下降；后者系晶格中的氧逸出,使晶格中产生氧空位，但对试样电导率影响较小。经电化学充氧的间隙氧含量较高的试样，在533K和673K附近有两个脱氧过程，分别对应处于两种状态的间隙氧的逸出，两者均导致空穴载流子浓度