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简述了利用缺陷促进硅光吸收特性的发展历史,概括了用离子注入引入局域缺陷,改进硅光吸收的技术,介绍了多国学者针对局域缺陷改进硅光吸收技术的研究结果及发展趋势.
离子注入改进硅光伏特性研究的发展动态
【摘 要】
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简述了利用缺陷促进硅光吸收特性的发展历史,概括了用离子注入引入局域缺陷,改进硅光吸收的技术,介绍了多国学者针对局域缺陷改进硅光吸收技术的研究结果及发展趋势.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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微细加工技术
【发表日期】
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2003年1期
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