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非易失性存储器在数字系统中扮演着重要的角色,其特点是断电后可以继续保存数据,相变存储器(Phase-Change Memory,PCM)由于其高密度、低功耗、工艺兼容等特点成为了下一代存储器的有力候选之一,引起了广泛的注意。本文主要介绍了当前相变存储器的研究现状,并对特定结构的相变存储单元进行了相变行为的计算机仿真。