射频磁控溅射法制备AZO／p—Si异质结及其性能研究

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zjxiaolin

【摘要】

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利用射频磁控溅射法，在p—Si衬底上生长了Al掺杂的ZnO（AZO）薄膜，并进而制备了AZO／p-Si异质结。x射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔效应测试仪测量表明，AZO薄

【作者】

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刘斌沈鸿烈岳之浩江丰冯晓梅潘园园

【机构】

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南京航空航天大学材料科学与技术学院

【出处】

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电子器件

【发表日期】

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2011年6期

【关键词】

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射频磁控溅射 AZO/p—Si异质结 I-V特性太阳电池 RF magnetron sputtering AZO/p-Si heterojunction

【基金项目】

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国家863计划项目（2006AA032219）,江苏高校优势学科建设工程资助项目

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利用射频磁控溅射法，在p—Si衬底上生长了Al掺杂的ZnO（AZO）薄膜，并进而制备了AZO／p-Si异质结。x射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔效应测试仪测量表明，AZO薄膜具有良好的结晶质量、光学和电学特性。暗态下的I-V测试表明，AZO／p—Si异质结具有较好的整流特性，反向饱和电流为1．29×10^-6A，±2V处的正向和反向电流之比为229．41，计算得出异质结的理想因子为2．28。在标准光照下AZO／p—Si异质结呈现出明显的光生伏特效应，这种异质结太阳

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