【摘 要】
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集成电路预镀框架铜线键合封装在实际应用中发现第二键合点失效,通过激光开封和横截面分析,键合失效与电化学腐蚀机理密切相关。通过2000h高温存储试验和高温高湿存储试验,研
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集成电路预镀框架铜线键合封装在实际应用中发现第二键合点失效,通过激光开封和横截面分析,键合失效与电化学腐蚀机理密切相关。通过2000h高温存储试验和高温高湿存储试验,研究预镀框架铜线键合界面的湿腐蚀和干腐蚀失效模式。结果表明:在不含Cl-的低湿度环境下,电化学反应速率缓慢,且金属腐蚀发生的比例低;在含有Cl-的高湿环境下,电化学反应速率则大大增加,铜线和框架的腐蚀严重程度与比例最为突出;高湿度和Cl-浓度加速金属界面的腐蚀,尤其是铜线的腐蚀。
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