硫化反应生长ZnS薄膜的结构和光学性能研究

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以物理气相沉积中的溅射和蒸发方法,在玻璃衬底上沉积 Zn/S/Zn三层膜结构,然后在1 atm 压力的Ar气氛中退火制备ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱对ZnS薄膜的晶体结构和光学性质及其生长机理进行研究。结果表明,在450℃温度下退火时,三层膜结构中高活性Zn和 S容易发生硫化反应,形成的ZnS薄膜为立方晶体结构,沿(111)晶面择优生长;其 ZnS特征吸收边出现在350 nm附近,在可见光波长范围内,ZnS薄膜具有约80%的透光率;在450℃温度下退
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