BaxSr1—xTiO3前驱多层膜制备及后热处理条件的优化

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bard

【摘要】

：

用Ar+离子束多靶溅射沉积技术在单晶硅Si(100)上顺序沉积了TiO2、BaCO3、SrCO3叠层,并经后期低温扩散和高温晶化两步热处理过程制备了BaxSr1-xTiO3薄膜.用俄歇扫描电子能谱(A

【作者】

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郭杏元刘庆峰刘茜吴庆生

【机构】

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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,同济大学化学系

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

BaxSr1-xTiO3 离子束溅射顺序沉积 AES 扩散 Ba(x)Sr1-xTiO(3) ion beam sputtering sequential d

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用Ar+离子束多靶溅射沉积技术在单晶硅Si(100)上顺序沉积了TiO2、BaCO3、SrCO3叠层,并经后期低温扩散和高温晶化两步热处理过程制备了BaxSr1-xTiO3薄膜.用俄歇扫描电子能谱(AES)对其低温扩散效应(温度、时效、沉积顺序)进行了研究.实验结果表明:在低温段长时间保温或在中温段短时间保温都有利于各沉积组元充分扩散,扩散均匀的混合膜层经高温晶化(900℃)能形成多晶BaxSr1-xTiO3薄膜.

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