【摘 要】
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高纯三氟化硼是半导体离子注入用的重要掺杂离子源,在电子工业中有着广泛的应用。本文提出了在真空条件下,高温裂解氟硼酸盐、低温精馏制备高纯三氟化硼气体的新工艺。该工艺
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高纯三氟化硼是半导体离子注入用的重要掺杂离子源,在电子工业中有着广泛的应用。本文提出了在真空条件下,高温裂解氟硼酸盐、低温精馏制备高纯三氟化硼气体的新工艺。该工艺是在600℃和700℃2个温度段分别对氟硼酸盐进行高温分解,对产生的产品气体进行低温精馏操作,实现三氟化硼气体的净化。实验结果表明,该工艺流程产生的三氟化硼气体纯度不低于99.995%,四氟化硅的含量在10 ppm以下。
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