【摘 要】
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基于传统带隙基准的原理，通过优化电路结构，消除双极晶体管基极．发射极电压中的非线性项，设计了一种带2阶补偿的多输出带隙基准电压源。整个电路采用CSMC0．5μmCMOS工艺模型进行仿
【机 构】
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贵州大学贵州省微纳电子与软件重点实验室
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基于传统带隙基准的原理，通过优化电路结构，消除双极晶体管基极．发射极电压中的非线性项，设计了一种带2阶补偿的多输出带隙基准电压源。整个电路采用CSMC0．5μmCMOS工艺模型进行仿真。Spectre仿真结果表明，在-55～125℃的温度范围内，带隙基准电压源的温度系数为3．1ppm／℃，在5V电源电压下，输出基准电压为1．2994V；带隙基准电压源的电源抑制比在低频时为84．5dB；在5v电源电压下，可以同时输出0—5V多个基准电压。
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