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重点论述了在P-Si基底上通过真空沉积技术制备PTCDA/P-Si光电探测器的制备工艺和光电性能.所制备的PTCDA/P-SI有机光电探测器具有良好的稳定性及可靠性,总体性能高于进口的无机半导体光电探测器.
有机半导体器件的真空镀膜技术
【摘 要】
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重点论述了在P-Si基底上通过真空沉积技术制备PTCDA/P-Si光电探测器的制备工艺和光电性能.所制备的PTCDA/P-SI有机光电探测器具有良好的稳定性及可靠性,总体性能高于进口的无
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院,兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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2006年z1期
【基金项目】
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国家自然科学基金(No.60276026)
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