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通过均相沉淀法制备了纳米CeO2和Al2O3粉体，研究了在相同抛光条件下纳米CeO2、SiO2和Al2O3磨料对GaAs晶片的抛光效果，并用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌并测量表面粗糙度。结果表明，使用纳米CeO2磨料抛光后的表面具有最低的表面粗糙度，在1μm×1μm范围内表面粗糙度尺口值为0．740nm，而且表面的微观起伏更趋于平缓。文中还探讨了GaAs晶片化学机械抛光材料去除机理，考虑了纳米磨料在抛光条件下所发生的自身变形，并分析了纳米磨料硬度对抛光表面粗糙度的影响．初步解释了在相同的抛