界面陷阱相关论文
金属-氧化物结是电子器件基本组成部分之一。一般来说,由于金属功函数和氧化物电子亲和能的不同,在金属-氧化物界面会形成肖特基势......
近些年来,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）于高温高功率等场合应用广泛,但是由于器件的欧姆电极热稳定性、直流性能退化、界面陷......
SiC因其优越的电学特性，已发展成为高压功率器件领域的翘楚。然而，SiC与SiO2界面存在高密度界面态，使得SiC MOSFET沟道迁移率远低于Si......
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碳化硅（SiC）具有宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和漂移速度等特性,是适宜制备功率器件的优异半导体材料。Si C MOSFET器件是适......
为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温......
晶体管作为集成电路的最重要的组成部分之一,其性能的提升为微电子技术的发展提供了重要的技术基础。有机晶体管由于其中半导体分......
光电探测器作为智能光电系统的重要组成部分，已经引起了多学科领域的极大关注。光电倍增对于高灵敏光电探测器来说是理想的；它可以避......
研究了沟长从 0 .5 2 5 μm到 1.0 2 5 μm9nm厚的 P- MOSFETs在关态应力 ( Vgs=0 ,Vds...
在宽范围偏置条件下,测量了电应力前后GaAlAs红外发光二极管(IRED)的低频噪声,发现应力前后1/f噪声随偏置电流变化的规律没有改变,......
基于金属-氧化物-半导体-场效应管(MOSFET)辐射损伤的微观机理,推导出了MOSFET经历辐照之后氧化层空穴俘获与阈值电压漂移之间关系......
基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐......
在不同应力条件下,研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火前后的电流崩塌、栅泄漏电流以及击穿电压的变化.结果表明,AlGaN/Ga......
为了研究氢气与辐射感生产物之间的作用关系,以栅控横向PNP双极晶体管为研究对象,分别开展了氢气氛围中浸泡后的辐照实验和辐照后......
基于氮化镓(Ga N)材料及异质结构的优异特性,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有电流密度大、工作电压高、频率快等特点,因而......
随着集成电路领域的日益发展,芯片集成度不断提高的同时MOSFET器件尺寸也在不断缩小。当今,尺寸缩小所带来的功耗增大问题变得越来......
低剂量率辐照损伤增强效应(Enhanced Low Dose Rate Sensitivity,ELDRS)影响星用电子器件的使用寿命,主要研究手段为地面辐照实验......
报道了正向栅控二极管 R- G电流法表征 F- N电应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱的实验及其结果 .通过体接触的方式实现了实验要求的......
本文提出了复合栅控二极管技术提取MOS器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的......
该文初步综述了近年来关于MOS结构热生长SiO[*v2*]膜中电荷陷阱的实验方法和结果。作者推广了Meyer和Crook的结果，并且提出一个简单......
对含N薄栅MOS电容进行了Co-60γ辐照和100℃恒温退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中N的引入，能明显抑制辐射感生Si/SiO界面态的产......
在室温条件下，研究了辐照偏置、总剂量和剂量率对ＰＭＯＳ剂量计辐照剂量记录－阈值的稳定性影响，观察了辐照后阈值在不同栅偏条件下的变化趋势......
伴随着在军事领域对高性能、低成本红外技术的需求地不断更新,作为红外技术的先导和核心的红外探测器在历经了半个多世纪的研究和......
随着大规模集成电路的发展，器件尺寸不断缩小，使得器件密度不断增加，而电路功能的集成又使得电路日趋复杂。在这一背景下，可靠性问题也......
位于Si-SiO2界面处的界面陷阱和氧化层陷阱是影响器件性能的主要因素之一.在器 件的使用过程中,诸如F-N应力、电离辐射及热载流子......
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的持续缩小会带来短沟道效应、栅极漏电增强、载流子迁移率退化等一系列严峻问题，同时要在......
本文首先研究了PMOS器件各种静态参数随时间应力的退化，并得到了器件退化的规律。讨论了NBTI效应的产生机制，发现是由于Si/SiO2界面......
SiC MOSFET凭借其材料独特而优异的结构和性能在大功率、高温高频等应用领域发挥着重要的作用，但由于其高浓度的陷阱，导致了器件的栅......
随着MOS器件尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄，栅泄漏变得愈发显著，对CMOS器件和电路可靠性的影响也愈发严重，成为限制器件及电路寿命......
近50年来，基于硅基半导体的集成电路的性能以指数速度快速发展。但是在实际的加工过程中，硅基晶体管的尺寸在物理上已经达到了它的极......
本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实......
本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究 .正向栅控二极管技术简单、准确 ,可以直接测得热载......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
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随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠......
报道了正向栅控二极管R-G电流法表征F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱的实验及其结果．通过体接触的方式实现了实验要求的SOI-MOSF......
研究了在30V的直流偏压下,对PECVD工艺制备的SiOxNy薄膜进行电子注入,并结合俄歇谱和红外光谱对实验结果进行了讨论。结果表明,薄......
利用电容-电压(C-V)测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响.研究表明硅纳米晶......
采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级富氮 Si Ox Ny 薄膜界面陷阱的物理模型。证实了 PECVDSi Ox Ny 薄膜中界面陷阱来源于悬挂键......
本文利用Silvaco软件对GaN共振隧穿二极管（GaN RTD）进行仿真，重点考虑了界面陷阱密度对GaN RTD量子阱性能及负阻特性的影响。结果显示......
对超深亚微米PMOS器件的负栅压温度不稳定性(NBTI)退化机理进行了研究.主要集中在对器件施加NBT和随后的PBT应力后器件阈值电压的......
研究了SIMOXSOI器件的电学特性 .发现在众多的MOSFET中 ,输出特性曲线的低漏压端都出现了“鸟嘴”形畸变 ,表现在转移特性曲线上便......
基于界面陷阱的定义,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它......
基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照......
利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS......
在宽范围偏置条件下,测量了电应力前后GaAlAs红外发光二极管(IRED)的低频噪声,发现应力前后1/f噪声随偏置电流变化的规律没有改变,......
