【摘 要】
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基于双极结型晶体管(BJT)大信号简洁模型,采用在基极和集电极节点之间添加RC延迟噪声电流的方法对SiGe HBT高频相关噪声进行建模,将模型与现有的Transport模型、SPICE模型、V
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基于双极结型晶体管(BJT)大信号简洁模型,采用在基极和集电极节点之间添加RC延迟噪声电流的方法对SiGe HBT高频相关噪声进行建模,将模型与现有的Transport模型、SPICE模型、Van Vliet模型进行对比来体现该建模方法的准确性,同时再对模型进行四噪声参数的提取,将提取结果与实测的结果进行比较来验证它的有效性。
Based on the BJT large-signal model, the high-frequency noise of SiGe HBT is modeled by adding RC delay noise current between the base and the collector node. The model is compared with the existing Transport model , SPICE model and Van Vliet model are compared to reflect the accuracy of the modeling method. At the same time, the four-noise parameters are extracted from the model. The extraction results are compared with the measured results to verify its validity.
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