【摘 要】
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采用张弛法数值求解静电势的泊松方程,得出垂直腔面发射激光器(VCSEL)中N型和P型分布布拉格反射体(DBR)中一个周期单元的精确能带图.并以此为依据,从理论上分别分析和比较了
【机 构】
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中科院半导体所光电子器件国家工程中心
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采用张弛法数值求解静电势的泊松方程,得出垂直腔面发射激光器(VCSEL)中N型和P型分布布拉格反射体(DBR)中一个周期单元的精确能带图.并以此为依据,从理论上分别分析和比较了多子漂移扩散、纯漂移和热电子发射电流机制所起的作用.指出由一对反对称同型异质结构成的DBR一个周期单元总是表现出欧姆性,但热电子发射电流机制的存在容易使每个结呈现整流特性,以致在电流输运过程中起主要作用的是其反向特性,导致偏压和电阻过大器件不能正常工作.但是漂移扩散机制具有明显欧姆性,在利用缓变DBR结构消除异质尖峰势垒之后漂移扩散
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