【摘 要】
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日前,随着第一批高压大功率晶闸管正式投片,国内最大的大功率半导体器件研发及产业化基地在中国南车正式投产。该基地主要生产5至6英寸压接高压大电流双极器件、IGCT及其配套
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日前,随着第一批高压大功率晶闸管正式投片,国内最大的大功率半导体器件研发及产业化基地在中国南车正式投产。该基地主要生产5至6英寸压接高压大电流双极器件、IGCT及其配套二极
Recently, with the first batch of high-voltage high-power thyristors officially cast, China’s largest high-power semiconductor device R & D and industrialization base in China CSR formally put into operation. The base mainly produces 5 to 6 inches crimp high voltage high current bipolar devices, IGCT and its supporting diode
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