切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
山东省图书馆举行建馆一百周年庆典系列活动
山东省图书馆举行建馆一百周年庆典系列活动
来源 :图书馆理论与实践 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gushangchen
【摘 要】
:
5月9日,山东省图书馆举行建馆100周年庆典活动。文化部副部长周和平、山东省副省长黄胜等领导出席了庆典仪式。中国国家数字图书馆山东分馆共建协议签约仪式、全国图书馆馆长
【出 处】
:
图书馆理论与实践
【发表日期】
:
2009年6期
【关键词】
:
山东省图书馆
周年庆典
国家数字图书馆
图书馆馆长
庆典活动
庆典仪式
签约仪式
副部长
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
5月9日,山东省图书馆举行建馆100周年庆典活动。文化部副部长周和平、山东省副省长黄胜等领导出席了庆典仪式。中国国家数字图书馆山东分馆共建协议签约仪式、全国图书馆馆长座谈会也于当日举行。
其他文献
创新·融合·共享:图书馆阅览室新型服务模式评析
评述了近年来有代表性的图书馆阅览室服务新模式,指出创新、融合、共享是它们的共同特点。建议图书馆管理者应因地制宜,建设具有本馆特色的新型阅览室服务模式,以促进图书馆
期刊
图书馆阅览室
服务模式
创新
融合
共享
基于RSSI的无线传感器网络节点定位算法研究
无线传感器网络是由大量具备感知、数据处理、存储和无线通信能力的传感器节点通过自组织方式形成的网络。针对无线传感器网络节点定位问题,以RSSI测距为基础,提出了一种最小
期刊
无线传感器网络
节点定位
接收信号强度
高速高精度加工中心
现在整个加工行业似乎都在讨论高速加工中心这个话题。在日本,牧野作为第一台加工中心研制厂商,对高速加工中心有其独特的定义。当然力量强劲集中的驱动控制器与机械行业专业
期刊
加工中心
高速加工
加工精度
主轴
控制器
p型Si单晶表面态真空效应的光伏测定
本文报导了采用变温光伏方法对不同真空度下的p型硅单晶的表面态参数进行非破坏性的测算。发现在不同真空度下,其表面能级E_S(或表面势垒高度ψ_BP)和单位能量间隔的表面态密
期刊
真空效应
p型硅单晶
光伏方法
测定
Effect of Vacuum on Surface States
p Type Si Single Crystal
M
论马克思主义意识形态的批判功能
批判功能是马克思主义意识形态区别其他旧意识形态的重要特征;按批判的对象不同,我们可把马克思主义意识形态革命批判功能分为理论批判、现实批判和自身批判三种.认真把握马
期刊
马克思主义意识形态
理论批判
现实批判
自身批判
灾后儿童社会性发展问题及疏导策略
汶川大地震后,灾区儿童社会性发展方面存在着安全感普遍降低、情绪情感休克麻木、心理行为障碍、精神崩溃和自杀倾向四个方面的问题。应从为灾区儿童搭建安全依恋关系、让他
期刊
灾后儿童
社会性发展
问题
疏导策略
children after disaster social development problems strategic
8毫米波段固体微波锁相源
介绍一种8毫米(Ka)波段固体微波锁相源,采用数字环路锁相技术,实现了从5MHz到Ka波段频率稳定度的良好传递。整个锁相源的秒级频率稳定度为10~(-9)量级,长期频率稳定度为10~(-
期刊
微波锁
相源
固体
波段
振荡器
Phase Locked Loop
Frequency Stabilizatioa Technique
Millimete
4.2GHz2W硅功率晶体管
<正>硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到C波段以上时,由于其频率性能的提高与输出功率、散热性能和寄生参数等都发生了尖锐
期刊
功率晶体管
晶体管
600MHz150W硅脉冲功率晶体管
600MHz150W硅脉冲功率晶体管王因生,陈正东,张树丹,谭卫东,郑承志,刘六亭,康小虎,周德红,陈统华(南京电子器件研究所,210016)A600MHz150WSiliconBipolarPulsedPowerTransistor¥WangYin...
期刊
功率晶体管
硅
脉冲
pn结泄漏电流对高温集成MOSFET交流性能的影响
分析了漏源pn结泄漏电流对高温MOS模拟集成电路中、工作在零温度系数(ZTC点)的MOSFET交流参数的影响。研究结果表明,pn结扩散电流对高温MOSFET的交流性能有极大的影响,而产生
期刊
pn结泄漏电流
模拟集成电路
MOSFET
High Temperature
p-n Junction Leakage Current
Zero Tempera
与本文相关的学术论文