基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:weilove721
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采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/[email protected]/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制
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