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目前在大规模集成电路制造中,IC生产已经进入深亚微米和超深亚微米工艺时代.随着MOS尺寸的不断缩小,等离子体工艺已经成为主流.等离子体工艺引起的栅氧化膜损伤越来越受重视,它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性能.本文讨论了等离子体工艺损伤的形成机理、充电损伤和辐射损伤两种损伤模式及减少等离子损伤的几种措施.最后提出了目前有待于进一步研究的问题.