福利企业增值税的税收筹划——销项税额的筹划

来源 :社会福利 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gzzmh12345
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
近年来,随着经济体制改革的深入,现行福利企业税收的优惠政策逐渐暴露出一些问题,为了解决这些问题,切实维护残疾人的合法权益,有必要对现行福利企业税收优惠政策进行反思,并提出相应对策。本刊曾在2006年的第12期上发表本文作者徐茂中教授的文章——《福利企业所得税的税收筹划》,受到读者的广泛好评。今年本刊应广大读者的要求,继续发表徐茂中教授有关福利企业增值税税收筹划的系列文章,本期刊登第二篇《福利企业增值税的税收筹划——销项税额的筹划》。 In recent years, along with the deepening of economic system reform, preferential tax policies of current welfare enterprises have gradually exposed some problems. In order to solve these problems and earnestly safeguard the legitimate rights and interests of handicapped persons, it is necessary to reflect on the current preferential tax policies for welfare enterprises Put forward corresponding countermeasures. The magazine has been published in the twelfth in 2006, the author of this article Professor Xu Maozhong article - “Welfare corporate income tax tax planning” by the reader’s wide acclaim. This year, at the request of the readers, this magazine should continue to publish a series of articles published by Professor Xu Maoshong about the tax planning of welfare enterprises. This issue contains the second edition of “Planning for the Taxation of Welfare Enterprises’ VAT - The Output Tax.”
其他文献
首先简单介绍了ISG系统原理,然后介绍了以TMS320V2812DSP为核心控制器和智能功率模块的硬件系统,同时给出了主程序和相关子程序流程图。最后,在理论研究的基础上完成了车用永磁
数学学习是一项艰苦的脑力劳动,学生如果缺乏攻读的坚韧品性,那么他的学习或是虎头蛇尾,或是半途而废。爱迪生曾说:“伟大人物的最明显标志,就是他坚强的意志,不管环境变到何
[目的]探讨微波治疗环状混合痔术后疗效。[方法]选取2007年7月至2009年6月陕西中医学院附属医院肛肠科环状混合痔外剥内扎术后患者90例,随机分为微波治疗组和对照组各45例,微
随着研究的不断深入,我们对国共两党早期的斗争也就越来越明白了。戴季陶(1891-1949),名传贤,字季陶,笔名天仇,晚号孝园。原籍浙江湖州,生于四川省广汉市。众所周知,戴季陶早
千古人杰李时珍的《本草纲目》历经四百余年的实践检验,不仅仅是一部中华药学巨著、世界医学宝典,亦是一部百科全书。书中的花草虫鱼、瓜果菜蔬、土木金石等千余种植物、动物
多种慢性肾病最后都会进展到终末期肾病 (end stagerenaldisease ,ESRD) ,其主要形态学特征是肾小球及肾小管间质纤维化。在此过程中 ,转化生长因子 β(transforminggrowthf
为降低分布式卫星系统构形调整规划的求解复杂性,提出一种协同规划策略,将构形最优调整问题划分为两层规划问题,包括整体协同的星位分配与首星位相位优化的顶层规划,以及各卫星自
本文报道了甘肃陇东农业害虫主要寄生性天敌昆虫.通过饲养玉米螟Ostrinia furnacalis Guenee.胡麻短纹卷蛾Falseuncaria kaszabi Razowski.桃小食心虫Carposina niponensis W
用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延 (MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析。发现薄膜实际表面存在O和C吸附层 ,C主要为表面