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研究了ＬＦ７６５０ＣＭＯＳ运算放大器电路在１ＭｅＶ电子和＾６０Ｃｏγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对其电离辐照敏感参数，辐照后在室温和１００℃高温条件下，随时间变化关系的分析，探讨了引起电参数失效的机理，结果表明，由于电离辐射产生的界面态增加，引起的多数载流子迁移率的减小，导致ＭＯＳＦＥＴ跨导的下降，是造成ＣＭＯＳ运算放大器电路失效的主要机制，也是引起１ＭｅＶ电子辐照的损伤敏感度明