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在HgCdTe光伏探测器件SiO2＋ZnS复合介质膜钝化中，引入O2^＋清洗和Ar^＋刻蚀两种等离子体处理工艺，大大提高薄膜附着力，成功制备出优良的光伏器件。对处理前后的样品进行场发射扫描电子显微镜扫描、原子力显微镜扫描和二次离子质谱测试后发现，O2^＋清洗对去除样品表面的残余光刻胶效果显著；而Ar^＋刻蚀使ZnS表面更为粗糙，增加了成核中心，使SiO2和ZnS表面互相渗透，增强了两层介质膜的附着力。