【摘 要】
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实验中测量了0.38VBohr（460 keV）高电荷态Xeq+（4≤q≤20）离子轰击高纯Ni表面发射的400-510 nm光谱.实验结果包括NiⅠ原子谱线,NiⅡ离子谱线,以及入射离子中性化发射的XeⅠ,XeⅡ和
【机 构】
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中国科学院近代物理研究所,中国科学院大学,南京航空航天大学航天学院
【基金项目】
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国家自然科学基金联合重点基金（批准号：U1732269）资助的课题
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实验中测量了0.38VBohr（460 keV）高电荷态Xeq+（4≤q≤20）离子轰击高纯Ni表面发射的400-510 nm光谱.实验结果包括NiⅠ原子谱线,NiⅡ离子谱线,以及入射离子中性化发射的XeⅠ,XeⅡ和XeⅢ谱线.研究了谱线XeⅡ410.419,XeⅢ430.444,XeⅡ434.200,XeⅡ486.254,NiⅠ498.245,NiⅠ501.697,NiⅠ503.502,NiⅠ505.061和NiⅠ508.293 nm的光子产额随着入射离子电荷态的变化.结果表明,入射离子中性化和溅射Ni原子发射谱线的光子产额随着入射离子电荷态的增加而增加,其趋势与入射离子势能一致.
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