【摘 要】
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基于0.18 μm CMOS工艺,提出了一种补偿电流型高精度迟滞比较器.利用两个工作在线性区的MOS晶体管间的电流差产生一个补偿电流源,将补偿电流源应用于传统内部迟滞比较器中,对
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;成都英特格灵微电子技术有限公司,成都610000
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基于0.18 μm CMOS工艺,提出了一种补偿电流型高精度迟滞比较器.利用两个工作在线性区的MOS晶体管间的电流差产生一个补偿电流源,将补偿电流源应用于传统内部迟滞比较器中,对迟滞电压中工艺和温度的相关项进行补偿,以获得低温漂的高精度迟滞电压.仿真结果表明,该迟滞电压具有非常低的温度系数,当迟滞电压为149.94 mV、温度从-40 ℃变化至125 ℃时,迟滞电压仅变化1.3 mV,变化幅度仅为0.87％.
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