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用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件（OLEDs）的空穴缓冲层，使典型结构的OLEDs（ITO／TPD／Alq／LiF／Al）的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明，当ZnS缓冲层厚度为5nm时，器件的亮度增加了2倍多；当ZnS缓冲层厚度为5、10nm时，器件的发光电流效率增加40％。研究结果表明ZnS薄膜是一种好的缓冲层材料，它能够提高器件的发光效率，改善器件的稳定性。