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研究了使用电化学沉积法于碱性条件下在柔性ITO衬底上制备Cu／Cu2O薄膜的方法。循环伏安曲线表明Cu2O与Cu的阴极峰分别位于-500mV（vs Ag／AgCl）和-800mV（vs Ag／AgCl）附近。利用循环伏安法考察了生长温度和电解液pH值等对Cu2O与Cu阴极峰电位的影响，阴极峰随生长温度的升高以及pH值的降低而略向阳极移动，沉积电流也随之相应增大。与弱酸性条件相比，上述两个阴极峰随pH值升高而移动的程度明显减小，这可能与碱性条件下C3H6O电离程度增大以及C3H6O根作为配体的过量程度有关。