【摘 要】
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SiC结型场效应功率晶体管(JFET)是目前较成熟的宽禁带功率半导体,具有良好的电气性能。但在使用过程中,JFET存在常态下开通的特性与开关时du/dt对驱动电压影响较大的问题。在
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SiC结型场效应功率晶体管(JFET)是目前较成熟的宽禁带功率半导体,具有良好的电气性能。但在使用过程中,JFET存在常态下开通的特性与开关时du/dt对驱动电压影响较大的问题。在分析器件等效电路的基础上,从理论上讨论了du/dt对驱动电压的影响,并提出一种驱动电路。该驱动电路采用电平转化电路及有源吸收电路,实现了控制电路信号与SiC器件驱动信号逻辑电平匹配;同时,在高速开关时,能有效减小容性电流对驱动电压的影响,可靠开关SiC器件。最后,给出了驱动信号、驱动电压变化及器件开关过程的实验波形,证明了驱动电路的有效性。
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