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本文在微晶硅材料性能研究的基础上制备了微晶硅薄膜晶体管（TFT）。发现微晶硅的柱状生长模式会导致其结构和电学性能的不均匀性。由于材料的柱状生长模式使得其晶化百分比、晶粒尺寸和暗电导受到薄膜厚度的调制。平行于衬底和垂直于衬底方向的电导率随着材料沉积条件的变化呈现出不同的变化规律，后者始终保持在10^-6s／cm～10^-5s／cm量级。确定了用于TFT有源层的微晶硅薄膜沉积条件中的硅烷浓度应高于2％，晶化百分比应为40％～50％左右。制备的微晶硅TFT器件具有良好的稳定性，开态电流的衰退和阈值电压的漂移分别