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利用BiCMOS工艺设计了一种高线性度下变频混频器。在此变频混频器的设计中结合了双极型工艺在射频段的高性能以及MOS工艺的高线性度，并利用其对传统的吉尔伯特单元进行了优化。基于JAZZ0．35μm标准BiCMOS SBC35工艺设计参数对混频器进行了设计和仿真，仿真结果表明该混频器获得了良好的性能指标，转换增益为9．3dB，输入3阶互调点达到了16dBm，在5V单电源下消耗1．9mA的电流。