【摘 要】
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在Si(100)衬底上通过电子束蒸发法外延生长晶体取向单一的NiSi薄膜材料.利用极化拉曼实验分析技术并结合群论以及晶格振动理论对NiSi薄膜拉曼峰的对称性进行指认.在此基础上
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在Si(100)衬底上通过电子束蒸发法外延生长晶体取向单一的NiSi薄膜材料.利用极化拉曼实验分析技术并结合群论以及晶格振动理论对NiSi薄膜拉曼峰的对称性进行指认.在此基础上计算了各类声子峰对应的晶格振动模式.我们还讨论了两种不同的激光退火方法对晶体质量的影响.
A single NiSi thin film was epitaxially grown on a Si (100) substrate by electron beam evaporation. The symmetry of the Raman peak of NiSi thin film was investigated by polarization Raman experimental analysis combined with group theory and lattice vibration theory On this basis, the crystal lattice vibration modes corresponding to all kinds of phonon peaks are calculated. We also discuss the influence of two different laser annealing methods on the crystal quality.
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