【摘 要】
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建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法， 对功率ＭＯＳ器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和ＰＳＰＩＣＥ模拟，模拟结果与文献中提供的数据相符合，表明所
【机 构】
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建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法， 对功率ＭＯＳ器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和ＰＳＰＩＣＥ模拟，模拟结果与文献中提供的数据相符合，表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。
The equivalent circuit model and the corresponding parameter extraction method of the single-chip burn-in effect of power MOS devices are established. The output characteristics of the power MOS device and the mechanism of the single-particle burn-in effect are analyzed and simulated by PSPICE. The simulation results and the data provided in the literature Coincide, indicating that the established device model and simulation method is reliable.
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