截止波长12μm的InAs_0.04Sb_0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究

来源 :光电子.激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：reeyung

【摘要】

：

用熔体外延（ME）法在半绝缘（100）GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12μm的InAS0.04Sb0．96外延层。傅立叶变换红外（FTIR）透射光谱揭示，InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄。通过分析InAS0

【作者】

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高玉竹龚秀英陈涌海吴俊

【机构】

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同济大学电子与信息工程学院,中国科学院半导体研究所,中国科学院上海技术物理研究所

【出处】

：

光电子.激光

【发表日期】

：

2007年1期

【关键词】

：

InAsSb/GaAs熔体外延(ME) 禁带宽度电学性质 InAsSb/GaAs melt epitaxy（ME） energy band gap elect

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用熔体外延（ME）法在半绝缘（100）GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12μm的InAS0.04Sb0．96外延层。傅立叶变换红外（FTIR）透射光谱揭示，InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄。通过分析InAS0.04Sb0．96外延层载流子浓度的温度依存性表明，其室温禁带宽度为0．1055eV，与透射光谱测得的数值很好地一致。通过测量12-300K的吸收光谱，研究了InAS0．04Sb0．96／GaAs的禁带宽度的温度依存性。霍尔测量得出300K下样品的电子迁移率为4．47×100cm^2

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