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采用MOCVD方法在 AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分 Al0．6 Ga0．4 N 薄膜，并采用高分辨率XRD（HRXRD）及阴极荧光（CL）方法对其进行了表征．结果表明，AlGaN薄膜产生了相分离，其原因为厚膜中的应力弛豫及Al原子低的表面迁移率．
AlN／蓝宝石模板上生长的 Al 0．6Ga0．4N薄膜结构与光学性能研究
【摘 要】
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采用MOCVD方法在 AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分 Al0．6 Ga0．4 N 薄膜，并采用高分辨率XRD（HRXRD）及阴极荧光（CL）方法对其进行了表征．结果表明，AlGaN薄膜产生了相分离，其原因为厚膜中的应
【机 构】
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广东省工业技术研究院广州有色金属研究院
【出 处】
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材料研究与应用
【发表日期】
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2014年3期
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