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开发测试结构是为了实现深槽和阱邻近效应在0.13μm间距工艺中对MOSFET影响的量化。本文分析了两类结构：深槽和阱边缘一起变化以及这些边缘单独变化。测量结果表明,深槽和阱邻近效应能够影响器件性能。
深槽和阱邻近效应对MOSFET性能的影响
【摘 要】
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开发测试结构是为了实现深槽和阱邻近效应在0.13μm间距工艺中对MOSFET影响的量化。本文分析了两类结构：深槽和阱边缘一起变化以及这些边缘单独变化。测量结果表明,深槽和阱邻
【机 构】
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飞思卡尔半导体公司
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2015年7期
【基金项目】
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致谢谨在此感谢Colin MeAndrew博士的有益讨论以及所提出的宝贵意见.
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