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采用低温(21 K-300K)稳态表面光伏实验方法,对腐蚀前后的半绝缘砷化镓(Si-GaAs)样品进行了大量的实验测量,发现其表面光伏谱可分为三个区域,并对三个区域的成因进行了合理的物理分析.
半绝缘砷化镓表面光伏谱的三区分析
【摘 要】
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采用低温(21 K-300K)稳态表面光伏实验方法,对腐蚀前后的半绝缘砷化镓(Si-GaAs)样品进行了大量的实验测量,发现其表面光伏谱可分为三个区域,并对三个区域的成因进行了合理的
【机 构】
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福州大学物理与信息工程学院
【出 处】
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江西科学
【发表日期】
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2005年5期
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