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为了研究失配应变的弛豫机理，利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(UHVCVD)Si／SiGe—OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察．发现此多层结构中存在60°位错和堆垛层错．结合Matthews和Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对60°位错组态的形成和存在原因进行了分析．在具有帽层结构的Si1-xGex应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错，验证了Gosling等人的理论预测结果。