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晶片表面几何特性对键合的影响
晶片表面几何特性对键合的影响
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tywuyaohuan
【摘 要】
:
由最小能量原理导出的键合条件出发,利用线性薄板理论,在同一理论模型框架下,通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶
【作 者】
:
陈斌
黄永清
任晓敏
【机 构】
:
北京邮电大学光通信中心
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2005年4期
【关键词】
:
晶片键合
表面能
吸附能
线性薄板理论
wafer bonding
surface energy
adhesion energy
linear elastic
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由最小能量原理导出的键合条件出发,利用线性薄板理论,在同一理论模型框架下,通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶片键合的影响,并对所得结果进行了详细讨论.
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