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目的探讨非均匀恒磁场N、S极对小鼠学习记忆的影响。方珐用避暗实验法和自主活动法,分别观察非均匀恒磁场N、S极对学习记忆能力的影响;应用光镜观察非均匀恒磁场N、S极治疗后,脑组织神经元细胞形态学改变。结果避暗实验表明磁场N极组与空白对照组比较,学习成绩测试错误次数(mistake,M值)减少,记忆测试M值减少,均有显著性差异(P<0.05);磁场S极组与空白对照组比较,记忆测试M值减少,有显著性差异(P<0.05);小鼠自主活动测定各组均无显著性差异(P>0.05);各组比较脑神经元的结构无明显改变。结论非